1. 壓力、流量自動(dòng)顯示，自動(dòng)恒壓、恒流，氫氣流量可根據(jù)用量實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)調(diào)節(jié)。

 

　　2. 雙支不銹鋼過(guò)濾器，內(nèi)有微量氧脫除劑（不需活化），氫氣純度更高；儀器內(nèi)部采用硅橡膠圈(含硫量低)，有效提高氣體質(zhì)量，保證色譜基線平穩(wěn)。

 

　　3. 提供高、低壓兩種工作模式，可靈活運(yùn)用在不同狀態(tài)。

 

　　4. 配有安全裝置，靈敏可靠，自動(dòng)防返堿。

 

　　氫氣發(fā)生器可以連續(xù)可靠的產(chǎn)生純度*的氫氣，純度>99.9999%。從而使昂貴且危險(xiǎn)的高壓氫氣鋼瓶*告別實(shí)驗(yàn)室，整個(gè)過(guò)程只需去離子水和供電，即可產(chǎn)生氫氣，一次加水即可持續(xù)工作15天，成本低。氫氣發(fā)生器的安全、簡(jiǎn)便性能使其替代了危險(xiǎn)的高壓氫氣鋼瓶。氫氣根據(jù)需要適時(shí)適量產(chǎn)生，保持氫氣儲(chǔ)存體積和安全性。

 

　　氫氣也可以應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（ChemicalVaporDepositon）薄膜生長(zhǎng)?；瘜W(xué)氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)、氣態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等；等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等；電子回旋共振化學(xué)氣相沉積（ECR-CVD）中作為反應(yīng)氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時(shí)氫氣也可以在原子層沉積（AtomicLayerDeposition）中使用。氫氣發(fā)生器目前已大量應(yīng)用在以上工藝中，為半導(dǎo)體材料及器件制備提供好的氣源。